特許

J-GLOBAL ID：200903032570714826

極低温流体の密度計測装置

発明者： 中道 憲治 ,  大平 勝秀
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 石川 新 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-028564
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 スラッシュ水素等の極低温流体内に電極を対置し、その電極間の静電容量の変化から同極低温流体の誘電率を測定し、得られた誘電率を基に同極低温流体の密度を計測するようにした静電容量型密度計測装置において、電極間隔を小さくしても誤差を生ずることなく極低温流体の密度を正確に計測可能とした極低温流体の密度計測装置を提供する。【解決手段】 スラッシュ水素槽2内に平板電極10と円筒型電極11を対向配置してある。これらの電極間の静電容量の変化がLCRメータ8で計測されるようになっている。スラッシュ水素槽2内を真空ポンプ7で減圧して液体水素の温度を低下させスラッシュ水素3を生成させる。スラッシュ水素3が電極10,11間に存在することによる静電容量変化からスラッシュ水素3の誘電率が計測され、得られた誘電率を基にスラッシュ水素3の密度が計測される。

請求項（抜粋）：

スラッシュ水素等の極低温流体内に電極を配置し、その電極間の静電容量の変化から同極低温流体の誘電率を測定し、得られた誘電率を基に同極低温流体の密度を計測するようにした静電容量型密度計測装置において、前記電極を平板電極と同平板電極に対向して配置された円筒型電極とで構成したことを特徴とする極低温流体の密度計測装置。

IPC (2件)：

G01N 27/22 ,  G01N 9/24

FI (2件)：

G01N 27/22 B ,  G01N 9/24 E

Fターム (11件)：

2G060AA19 ,  2G060AC05 ,  2G060AD01 ,  2G060AE40 ,  2G060AF10 ,  2G060AF11 ,  2G060AG07 ,  2G060AG08 ,  2G060AG11 ,  2G060FA01 ,  2G060GA01