特許

J-GLOBAL ID：200903032574060464

半導体装置の製造方法およびその装置

発明者： 三宅 竜也 ,  ペテック ハルヴォエ
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296661
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135498
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】配線溝への金属原子埋め込みのアニール温度を低温化し、電気的機械的耐性に優れた微細金属配線形成方法を提供する。【解決手段】基板冷却や表面化学反応を利用して、埋め込み時の金属材料の表面拡散を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体プロセスにおける金属配線形成等の手法において、試料基板を冷却することにより、銅もしくはアルミニウム,銀,金,白金,タングステン,タンタル,チタン等の金属原子やそれらの合金分子の拡散速度を抑制し、配線溝もしくは穴に金属を埋め込み、金属配線を低温,短時間で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。