フォトコンダクタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305571
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148704
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】本発明は電極間の容量が小さく、ON抵抗も小さくでき、ダイナミックレンジが大きく取れるフォトコンダクタ及びその製造方法である。【構成】上記目的を達成するために、この発明は光を照射すると導体となる半絶縁基板上に薄膜による電極と伝送ラインで構成されたフォトコンダクタにおいて、電極部分は極めて薄い膜で構成し電極の対向する表面積を小さくして容量を小さくし、伝送ラインにはメッキを施して厚い薄膜として強度を強め電気的抵抗を小さくする構成とその製造方法である。

請求項（抜粋）：

光を照射することにより導体となる半絶縁体基板(10)上に金属薄膜で形成された狭小ギャップ幅の電極(16A、16B)と、上記電極(16A、16B)に連結して金属薄膜で形成された伝送ライン(15A、15B)を有するフォトコンダクタにおいて、上記電極(16A、16B)の金属薄膜は超薄の薄膜で形成され、上記伝送ライン(15A、15B)の金属薄膜は厚い薄膜で形成された、ことを特徴とするフォトコンダクタ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-124884
特開昭60-124884

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