不揮発性半導体メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218508
公開番号（公開出願番号）：特開平5-054682
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【構成】フラッシュEEPROMのメモリセルアレイが4つのブロックに分割される。各ブロックごとに、ソース線スイッチを介して消去電圧を受けるように接続されたソース線が設けられる。各ソース線は、各ブロック内のメモリトランジスタのソースに接続される。消去電圧をソース線に対し選択的に与えることにより、ブロック単位でストアされたデータを一括消去することができる。これに加えて、各ブロックごとにXデコーダが設けられているので、消去動作の対象とならないブロックについて読出し動作を行なうことができる。【効果】メモリセルアレイの異なったブロックに対し、消去動作および読出し動作を同時に(または並行して)行なうことができるので、高速処理の要求に対応することができる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートを有するメモリトランジスタを含む不揮発性半導体メモリであって、各々が、行および列に配設された複数の前記メモリトランジスタを備えた複数のメモリアレイブロックと、各々が、前記複数のメモリアレイブロックの対応する1つ内のすべてのメモリトランジスタのソースに接続された複数のソース線と、外部から与えられる消去コマンドに従って、前記複数のソース線のうちの対応する1本に選択的に消去電圧を与えることにより、外部から指定されたメモリアレイブロック内にストアされたデータをメモリアレイブロック単位で選択的に一括消去する選択的ブロック消去手段と、外部から与えられる読出しアドレスに応答して、前記外部から指定されたメモリアレイブロックを除くメモリアレイブロック内にストアされたデータを読出す読出し手段とを含み、前記選択的ブロック消去手段および前記読出し手段は、同時に動作する、不揮発性半導体メモリ。

FI (2件)：

G11C 17/00 309 B , G11C 17/00 309 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭57-143794
特開平2-292798
特開昭63-124298

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