特許
J-GLOBAL ID：200903032576232688
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178612
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012854
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 ドレイン-ソース間の降伏電圧を高くしながら、オン抵抗を低くする。【解決手段】 延長ドレイン領域3の内部にP型埋込領域2を形成し、その上方にN型高濃度領域1を形成する。P型埋込領域2は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。N型高濃度領域1は、イオン注入法またはPOCl3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。MOSFETが動作するとき、N型高濃度領域を電流が流れるため、オン抵抗が低減される。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、前記半導体層内に形成された第2導電型のソース領域と、前記半導体層内に形成された第2導電型のドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられたチャネル領域と、 前記チャネル領域の上に形成されたゲート電極と、を備えた半導体装置であって、少なくとも一部分が前記ドレイン領域内に含まれる第1導電型の埋込領域と、少なくとも前記半導体層の表面と前記埋込領域との間に設けられ、前記ドレイン領域の第2導電型不純物濃度よりも高い第2導電型不純物濃度を有する高濃度領域と、を更に備えている半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 301 S
5F040DA22
, 5F040DC01
, 5F040EB01
, 5F040EF18
, 5F040EK01
, 5F040EM03
, 5F040FC11
