半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173908
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030193
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】室温下で電流ブロック層を形成することにより、優れた特性を有する半導体レーザ装置を容易に得ることを目的とする。【構成】室温下においてMBE(分子線エピタキシ)法により、リッジ部5を埋め込むようにpo1y-ZnSを形成して、電流ブロック層10を得る。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に配置された活性層と、該活性層上に配置された、その上部がレーザ共振器長方向に伸びるリッジストライプ形状に成形された上クラッド層と、該リッジストライプを埋め込むように配置された多結晶の半絶縁性材料からなる電流ブロック層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

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