特許

J-GLOBAL ID：200903032578469162

絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： メールダッド エム.モスレヒ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169166
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163571
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 IGFETのソース及びドレイン領域のそれぞれ3つの構成部分を他の部分から独立に制御形成することにより、トランジスタの性能及び信頼性を用途に応じ最適化し、また製造プロセス要件を充分緩和可とする。【構成】 IGFET10は、半導体基板8上に形成され、ソース領域12及び(又は)ドレイン領域20は、それぞれ、重ドープ部分14、22、非重なり軽ドープ部分16、24、及び重なり軽ドープ部分18、26を含み、重なり軽ドープ部分18、24と非重なり軽ドープ部分16、26のドーピング濃度及び接合深さは互いに異なる製造ステップにおいてイオン打ち込み等により独立に制御され、最適化される。絶縁層50は、ソース領域12をドレイン領域20と分離するチャネル領域の上と、重なり軽ドープ部分18、26の上とに形成される。ゲート24は、絶縁層50の上に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、重ドープ領域と、第1の選択されたドーピング濃度及び接合深さを持つ第1の軽ドープ領域と、及び第2の選択されたドーピング濃度及び接合深さを持つ第2の軽ドープ領域とを含むドレイン領域であって、前記第1の選択されたドーピング濃度及び接合深さは前記第2の選択されたドーピング濃度及び接合深さから独立に制御されることができる前記ドレイン領域と、ソース領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを分離するチャネル領域と、前記チャネル領域の上と、前記ドレイン領域の前記第2の軽ドープ領域の上と、及び前記ソース領域の前記第2の軽ドープ領域の上とに形成される絶縁層と、及び前記絶縁層の上に形成されるゲートとを含む絶縁ゲート電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-292833
  
• 特開平2-250331
  
• 特開昭63-095670
  
• 特開平3-099441