特許

J-GLOBAL ID：200903032585115317

半導体装置及び半導体装置の活性化方法

発明者： 綾 洋一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350398
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168341
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】光エネルギを用いて活性化を行う場合であれ、その信頼性を好適に維持することのできる半導体装置及び半導体装置の活性化方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1上に形成される半導体層2と、ゲート電極3との間には、ゲート絶縁膜としての第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜が備えられている。ゲート電極3は、チャネル領域2dを覆うように形成され、不純物の注入時にマスクとして機能する。第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜5は、LDD領域2cを覆うように形成され、同LDD領域2cに注入される不純物の量を調整すべく、その膜厚が設定されている。また、第2の絶縁膜5の組成は「SiOxNy」であり、「Ox」と「Ny」との比率によって光エネルギの吸収係数が変化する。LDD領域2cに供給される光量は、この比率及びその膜厚によって制御される。

請求項（抜粋）：

半導体層の上方に光エネルギの反射率及び吸収率の少なくとも一方を可変とする調光膜が形成されてなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 604

FI (6件)：

H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 21/265 604 M ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (34件)：

5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110EE08 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN35 ,  5F110NN43 ,  5F110NN46 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP11 ,  5F110PP27 ,  5F110QQ11