特許

J-GLOBAL ID：200903032588243901

超伝導回路

発明者： 斎藤 研志 ,  布施 雅志 ,  鈴木 正信
出願人/特許権者： 株式会社移動体通信先端技術研究所
代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082821
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275010
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 スパイラルインダクタ素子を含む超伝導回路に関して、低損失な超伝導回路を提供する。【解決手段】 第1超伝導膜1に含まれる第1スパイラルインダクタ素子11a、11bと、第2超伝導膜2に含まれる第2スパイラルインダクタ素子21a、21bとを容量結合および磁界結合させて、第1超伝導膜1と第2超伝導膜2とを電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

誘電体基板(3)と、前記誘電体基板(3)の上面に第1スパイラルインダクタ素子(11a、11b)を含んで形成された第1超伝導膜(1)と、前記第1超伝導膜(1)の上面に、誘電体膜(5)を介して、前記第1スパイラルインダクタ素子(11a、11b)と対向する第2スパイラルインダクタ素子(21a、21b)を含んで形成された第2超伝導膜(2)とを備え、前記第1スパイラルインダクタ素子(11a、11b)と前記第2スパイラルインダクタ素子(21a、21b)とを容量結合および磁界結合させて、前記第1超伝導膜(1)と前記第2超伝導膜(2)とを電気的に接続することを特徴とする超伝導回路。

IPC (3件)：

H01F 6/06 ZAA ,  H01F 17/00 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA

FI (3件)：

H01F 5/08 ZAA C ,  H01F 17/00 ZAA A ,  H01L 39/22 ZAA K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-067605
  
• 特開昭63-224271