特許

J-GLOBAL ID：200903032591824656

記録ヘッドの製造方法

発明者： 小室 博和 ,  堤 孝義
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204939
公開番号（公開出願番号）：特開平5-212871
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】基板上に単結晶半導体層を形成したものを複数用意して、共通の大面積基体に貼り合わせ該半導体層を転写する。こうして、大面積のSOI(セミコンダクターオンインシュレータ)基体が形成できるので、この半導体層にダイオードやトランジスタ等の機能素子を作り込める。ヒーターは該半導体層よりの上に積層形成できるので複数半導体層領域の境界上に形成しても何の問題もない。機能素子は適宜半導体層に作り込む。

請求項（抜粋）：

基板上に単結晶半導体層を形成したものを複数個用意し、共通基体の表面と前記半導体層を向かい合わせて貼り合わせ、前記基板を除去することにより前記共通基体上に前記半導体層の複数を配置する工程と、前記半導体層を用いて機能素子を形成し、熱エネルギーを発生する為の電気熱変換体を前記共通基体上に形成する工程と、を含むことを特徴とする記録ヘッドの製造方法。

IPC (2件)：

B41J 2/16 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-016464
  
• 特開平2-283454
  
• 特開昭57-072868