分子線エピタキシヤル成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225740
公開番号（公開出願番号）：特開平5-058795
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月09日
要約：

【要約】【目的】MBE法によるアンドープAlX Ga1-X Sb結晶を低濃度化する。【構成】MBE法によりn+ -GaSb基板上にn+ -GaSbを成長し、次にアンドープAlX Ga1-X SbとアンドープGaSb結晶を交互に積層した多層構造をエピタキシャル成長する。キャリア濃度の高いアンドープAlX Ga1-X Sbと低いアンドープGaSbを多層構造にすることにより、実効的にキャリア濃度の低減が図れる。

請求項（抜粋）：

超高真空中で加熱蒸発した原子または分子のビームが基板上でエピタキシャル成長する分子線エピタキシャル成長方法に於て、アンドープGaSb層とアンドープAlX Ga1-X Sb層を交互にエピタキシャル成長して多層構造を形成することを特徴とする分子線エピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/40 502 , H01L 21/203 , H01L 21/363 , H01L 31/10

前のページに戻る