特許

J-GLOBAL ID：200903032596251328

半導体装置およびその製造方法

発明者： 古本 雄一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046624
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243882
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 熱応力により樹脂製被覆材が絶縁基体から剥離し、半導体素子の封止が破れて半導体素子を長期間にわたり安定に作動させることができない。【解決手段】 絶縁基体1上に半導体素子3を搭載し、半導体素子3を含む絶縁基体1の上面を樹脂性被覆材4で被覆するとともに、この樹脂製被覆材4を絶縁基体1の側面に形成した切欠き部1bにも入り込ませている半導体装置である。樹脂製被覆材4が絶縁基体1に3次元的に強固に係止され、熱応力が作用しても絶縁基体1の外周縁において樹脂製被覆材4が剥離することが有効に阻止される。

請求項（抜粋）：

絶縁基体上に半導体素子を搭載し、該半導体素子を含む前記絶縁基体の上面を樹脂製被覆材で被覆するとともに、該樹脂製被覆材を前記絶縁基体の側面に形成した切欠き部にも入り込ませていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 R

Fターム (10件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109EA02 ,  4M109FA04 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA04 ,  5F061CB13 ,  5F061DD12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-084907   出願人：新光電気工業株式会社
• 特開平2-235699
  
• 特開平2-235699