特許

J-GLOBAL ID：200903032598104098

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者： 西川 通則 ,  角田 真由美 ,  篠田 智隆 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140923
公開番号（公開出願番号）：特開2000-328004
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として適当な、均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかもクラックが生じ難く、非常に低い誘電率を与え、塗膜の機械的強度などのバランスに優れる膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)(R1 )a Si(OR2 )4-a (R1 はメチル基、エチル基、ビニル基、フェニル基から選ばれる1価の有機基を示し、R2 は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数である)で表される化合物、および(B)(R3 )b Si(OR4 )4-b (R3 は炭素数4以上の直鎖アルキル基、分岐アルキル基、脂肪族環状アルキル基を示し、R4 は1価の有機基を示し、bは1〜2の整数である)で表される化合物を、有機溶剤中で触媒および水の存在下で加水分解および/または縮合した加水分解縮合物を含有する膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物と(R1 )a Si(OR2 )4-a ・・・・・(1)(R1 はメチル基、エチル基、ビニル基、フェニル基から選ばれる1価の有機基を示し、R2 は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数である。)(B)下記一般式(2)で表される化合物(R3 )b Si(OR4 )4-b ・・・・・(2)(R3 は炭素数4以上の直鎖アルキル基、分岐アルキル基、脂肪族環状アルキル基を示し、R4 は1価の有機基を示し、bは1〜2の整数である。)との加水分解縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (4件)：

C09D183/06 ,  C08G 77/04 ,  C09D 5/25 ,  H01L 21/312

FI (4件)：

C09D183/06 ,  C08G 77/04 ,  C09D 5/25 ,  H01L 21/312 C

Fターム (27件)：

4J035AA03 ,  4J035BA06 ,  4J035BA16 ,  4J035CA01N ,  4J035CA062 ,  4J035CA112 ,  4J035CA142 ,  4J035CA162 ,  4J035CA192 ,  4J035LA03 ,  4J035LB20 ,  4J038DL051 ,  4J038DL052 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  5F058AA02 ,  5F058AA03 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC04 ,  5F058AF04 ,  5F058AF10 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03