特許
J-GLOBAL ID：200903032602274467
単結晶シリコンの成長欠陥の検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132909
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306752
出願日： 1995年05月01日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコン成長欠陥の一つである酸素析出物を検出する方法を提供することを、目的とする。COPの検出を行うことを、目的としている。【構成】 HF洗浄後SC1洗浄したサンプルウェーハのパーティクルのカウント値と、HF洗浄を行わずに同一条件でのSC1洗浄したサンプルウェーハのそのカウント値との差を求める。この差からウェーハ表面に存在する酸素析出物の個数を検出する。HF洗浄でシリコンウェーハ表面の酸素析出物を溶解し、ピットを残す。ピットはSC1洗浄で拡大でき、パーティクルカウンタでカウントできる。HF洗浄でのカウント値はCOPおよび酸素析出物のカウント値を含み、HF洗浄なしのそれはCOPのみのカウント値を示している。また、上記SC1洗浄を複数回繰り返す結果、微小サイズの酸素析出物をも検出できる。
請求項（抜粋）：
単一のシリコン単結晶棒から同一条件で作製した複数のシリコンウェーハを準備する工程と、このシリコンウェーハの内の一つについてHF洗浄後SC1洗浄し、そのシリコンウェーハ表面の所定大きさのパーティクルのカウント値を得る第1の工程と、上記シリコンウェーハの内の別の一つをHF洗浄を行わずに上記第1の工程と同一条件でSC1洗浄し、そのシリコンウェーハ表面の同一大きさのパーティクルのカウント値を得る第2の工程と、これらの第1および第2の工程での各カウント値の差を求めることにより、このシリコンウェーハに存在する酸素析出物の個数を検出する工程とを備えた単結晶シリコンの成長欠陥の検出方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 K
, G01N 15/00 Z
