特許

J-GLOBAL ID：200903032603205922

半導体装置の製造方法

発明者： 川崎 賢
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239858
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082687
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 所望のパターンを良好に形成するとともに、歩留りの高い半導体装置を得ることができ、かつ、工程数を削減し生産コストを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Cl2 /NF3 =40/20sccm、圧力1.2mTorrの条件にて、チタンシリサイド膜3とポリシリコン膜2の一部とを異方性エッチングする。引続き、Cl2 とO2 との混合ガスにより、ポリシリコン膜2を異方性エッチングする。NF3 が完全に解離する。N原子がパターン側壁の強固な保護膜となるので、サイドエッチングが発生せず、良好なパターン形状を得ることができる。同一装置内で各膜をエッチングするので、工程を削減することができ、生産コストの低減を図ることができる。さらに、異物の発生を低減することができ、歩留りの高い半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

導電膜および/または絶縁膜を含む多層膜をエッチングする半導体装置の製造方法であって、真空度0.1〜5.0mTorrおよび電子密度1010/cm3 以上の条件下において、Cl2 とNF3 とを含む混合ガスを用い、前記混合ガスは、総流量に対するNF3 の流量の比が70%以下である、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 301 F