特許
J-GLOBAL ID：200903032606254843

半導体結晶の製造方法

発明者：
藤原 伸介

藤原 伸介 について

, 
宮永 倫正

宮永 倫正 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-290515
公開番号（公開出願番号）：特開2006-103997
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 効率的に単結晶を製造することができる半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 融点が2000°Cを超える材料からなる坩堝の内部に設置された台の一方の端面上に種結晶を設置し、種結晶の表面上に半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造方法であって、台の側壁と坩堝の内壁との間には隙間が形成されており、種結晶が設置されている台の端面の温度を種結晶が設置されていない側の台の端部の温度よりも高くした状態で半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造方法であることを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
融点が2000°Cを超える材料からなる坩堝の内部に設置された台の一方の端面上に種結晶を設置し、前記種結晶の表面上に半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造方法であって、前記台の側壁と前記坩堝の内壁との間には隙間が形成されており、前記種結晶が設置されている前記台の端面の温度を前記種結晶が設置されていない側の前記台の端部の温度よりも高くした状態で半導体結晶を成長させることを特徴とする、半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 23/00 ,  C30B 29/38
FI (2件)：
C30B23/00 ,  C30B29/38 D
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA18 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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