特許
J-GLOBAL ID：200903032607135317
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031526
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203836
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 コールドウオール型の枚葉式気相成長装置の基板加熱特性の長期安定性を確保するとともに、基板温度分布を改善する。【構成】 減圧下で加熱されたウェーハ(101)に成膜処理を施す成長室(102)と、ウェーハの表面を露呈し載置するサセプタ(103)と、ウェーハの裏面側にあって基板載置台(104)内に配置される加熱ヒータ部(105)と、成長室に反応ガスを導入するガスノズル(116)とを備えている。ウェーハ(101)を加熱するための加熱ヒータ(106)を配置したヒータ室(107)と成長室(102)のそれぞれにターボ分子ポンプ(108)が設けられている。被処理基板であるウェーハ(101)を支持するための基板サセプタ(103)としてサセプタの一部もしくは全部がシリコン単結晶、多結晶シリコンで形成されている気相成長装置である。
請求項（抜粋）：
減圧された内部空間に被処理基板の表面を露呈して載置する基板載置台と、前記被処理基板の裏面側に配置される加熱ヒータと、前記被処理基板の表面を処理する手段とから構成され、該内部空間が前記基板載置台と被処理基板によって実質的に2つの空間に分離されてなる気相成長装置において、前記基板載置台の基板載置面の全領域もしくは一部領域が単結晶シリコンまたは多結晶シリコンで形成されていることを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C30B 25/02
