低歪スイッチ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203190
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070245
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】低電圧動作可能な低歪特性を持つ高周波スイッチを実現することを目的とする。【構成】 FETで構成したSPDTスイッチにおいて、受信側の通過用FET2と送信側の接地用FET4をデュアルゲートFETで構成し、第1ゲートとソース間、第2ゲートとドレイン間に容量を接続する。【効果】本発明により容易に低電圧で低歪特性を持つ高周波スイッチを実現することが出来る。本発明を試作したところ、入出力特性の1つの指標である1dB抑圧レベルが従来のスイッチに比べ入力レベルで5dB以上改善された。

請求項（抜粋）：

2つ以上の複数のゲート電極をもつFET(電界効果トランジスタ)に於いて、ドレイン電極に隣接するゲートとドレイン間に容量を接続し、ソース電極に隣接するゲートとソース間に容量を接続し、各ゲートに独立した抵抗を介して直流電圧を印加することを特徴とする半導体回路。

IPC (4件)：

H03K 17/687 , H01P 1/15 , H03K 17/16 , H03K 17/693

引用特許：

審査官引用 (9件)

FETスイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302392 出願人：三洋電機株式会社
高周波スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-160127 出願人：三菱電機株式会社
高周波スイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-008490 出願人：シャープ株式会社

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