特許
J-GLOBAL ID：200903032613411261
評価用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149409
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014901
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】半導体の配線の信頼性を評価する評価装置において、多数の評価回路を1つのパッケージに組み込むことができ、多数の配線寿命測定を容易に行う。【構成】寿命評価配線13とダイオード2との並列回路を多数半導体基板中に作成する。ダイオード2はn-p-n拡散層構造など半導体製造工程で作成する拡散層とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、被測定配線とダイオードとの並列回路を複数個直列に接続した構造を有することを特徴とする評価用半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 27/00
, G01R 31/28
