特許

J-GLOBAL ID：200903032614423336

半導体ウェハの検査装置

発明者： 添田 英樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立サイエンスシステムズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244784
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068517
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハのパターンが形成される下地の膜厚の違いによる疑似欠陥検出なく、信頼性のある半導体ウェハの検査装置を提供する。【解決手段】異なるチップ中の同一パターンを有する検査領域からの反射光の輝度の差が、前記検査領域を含む定められた大きさの面積内での輝度の差の平均値と予め設定された欠陥判定しきい値とを加算した値より大きいとき、欠陥と判別する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの表面に形成されたパターンに生じた欠陥を検出する半導体ウェハ検査装置であって、半導体ウェハ上に光を照射する光源と、その反射光を受光する受光手段と、前記受光手段からの受光出力に基づいて、前記半導体ウェハ上に配列形成されたチップどうしを比較し、異なるチップ中の同一パターンを有する検査領域からの反射光の輝度の差が、前記検査領域を含む定められた大きさの面積内での輝度の差の平均値と予め設定された欠陥判定しきい値とを加算した値より大きいとき、欠陥と判別する検査手段とを備えたことを特徴とする、半導体ウェハの検査装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/956

FI (2件)：

H01L 21/66 J ,  G01N 21/956 A

Fターム (22件)：

2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051CA03 ,  2G051CB01 ,  2G051DA07 ,  2G051EA08 ,  2G051EA11 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EB09 ,  2G051EC03 ,  2G051ED04 ,  4M106CA38 ,  4M106CA39 ,  4M106DB04 ,  4M106DB07 ,  4M106DB20 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21