特許

J-GLOBAL ID：200903032617773532

モノリシック半導体圧力センサ

発明者： 山口周一郎 ,  宮島 久和 ,  杉浦 義幸
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033987
公開番号（公開出願番号）：特開平8-226859
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 モノリシック半導体圧力センサの設計を容易にする。【構成】 <110>基板または<100>基板であるベースウェハ15と、ベースウェハ15に貼り合わされ、その表面の結晶軸がベースウェハ15の表面の結晶軸と異なるボンドウェハ16と、ボンドウェハ16に形成された NPNトランジスタ18と、ベースウェハ15に形成された空洞部15aと、その空洞部15a上に形成されたダイヤフラム構造の圧力センサ部17とを備える。【効果】 NPNトランジスタ18を形成するボンドウェハ16が、異方性エッチングに適した、<110>基板または<100>基板に限定されず、ボンドウェハ16として従来の設計データが生かせる基板を用いることができる。

請求項（抜粋）：

<110>基板または<100>基板であるベースウェハと、そのベースウェハに貼り合わされ、その表面の結晶軸が前記ベースウェハの表面の結晶軸と異なるボンドウェハと、そのボンドウェハに形成された半導体素子と、前記ベースウェハに形成された空洞部と、その空洞部上に形成されたダイヤフラム構造の圧力センサ部とを備えることを特徴とするモノリシック半導体圧力センサ。