バンプ測定用基準素子とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-051764
公開番号（公開出願番号）：特開平10-253328
出願日： 1997年03月06日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、バンプIC上の複数の各バンプが全数正常に形成されているかの検査を行う際の各種検査基準データを取得する計測用半導体基準素子に関し、微細バンプにおいても基準データを取得できるバンプ形状(球状)の安定した、経年変化の小さい基準素子を得る。【解決手段】測定対象バンプの高さに相当する分だけ半導体基板表面に形成された穴の中に球状物体を突出させて埋め込み固着させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された穴の中に、測定対象バンプの高さに相当する高さに球状物体が突出して埋め込み固着されていることを特徴とするバンプ測定用基準素子。

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