特許
J-GLOBAL ID：200903032623053010
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-327906
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196649
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体記憶装置のスタックトキャパシタ形成工程において、電極形状加工に用いるシリコン酸化膜を選択的に除去する。【構成】 シリンダ型スタックトキャパシタ形成工程において、層間絶縁膜2の上部には不純物の添加されていないCVDシリコン酸化膜3を堆積する。さらに、容量絶縁膜形成前に除去すべき形状加工用シリコン酸化膜6には不純物の添加された酸化膜を適用する。この後気相HF処理を施す。この処理により、不純物が添加されたシリコン酸化膜6のみが選択的にエッチングされる。
請求項（抜粋）：
半導体記憶装置のスタックトキャパシタ形成工程において、電極形状加工に用いるシリコン酸化膜に不純物を添加し、気相HF処理により前記シリコン酸化膜を選択的に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/302
, H01L 27/04
