特許

J-GLOBAL ID：200903032625179925

半導体装置

発明者： 矢野 盛規
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317774
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124647
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体膜を劣化させない。【解決手段】 強誘電体キャパシタ33を構成する強誘電体薄膜30は、正孔を供給する元素としてZrが添加されたSBT薄膜で形成されている。したがって、IV-B族元素であるZrはSBT中のBiと置換するため正孔が発生する。その結果、水素シンター処理の際に拡散バリア32で防止できなかった水素がSBT中の酸素と結合して酸素空格子が形成されても、上記正孔によって酸素空格子による電子が中和されて本強誘電体メモリ素子のリーク電流が極めて小さくなる。また、上記正孔が酸素イオンと電気的に結合して、酸素イオンの拡散および上記SBTからの離脱が著しく抑制される。こうして、上記水素シンター処理を行う際に強誘電体薄膜30に水素が拡散しても強誘電体薄膜30は劣化することはない。

請求項（抜粋）：

上部電極,誘電体膜および下部電極を有する誘電体キャパシタが、選択トランジスタを搭載した半導体基板上に形成されると共に、上記選択トランジスタに電気的に接続されている半導体装置であって、上記誘電体膜は、正孔を供給する元素を含んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651

Fターム (11件)：

5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33