半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-107188
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306775
出願日： 1995年05月01日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】配線間クロストーク容量を減少してデバイス性能の向上を図ることが可能な技術を提供する。【構成】互いに積層されている第1の絶縁膜5、第3の絶縁膜7及び空間領域9(第2の絶縁膜6が除去されて形成された領域)によって構成された層間絶縁膜10を介して、下層配線4と上層配線8により多層配線が構成されている。このように、層間絶縁膜10の一部に空間領域9が存在していることにより、空気の誘電率が小さい(ほぼ1.0)ので、結果的に配線間クロストーク容量を減少する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成された下層配線上に層間絶縁膜を介して上層配線が形成されてなる半導体装置であって、前記層間絶縁膜の一部に空間領域が形成されたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/90 V , H01L 21/90 N

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