特許
J-GLOBAL ID：200903032631838833
発光ダイオードアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039501
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235412
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 短絡事故が起こりにくいかつ寿命特性の良い発光ダイオードアレイを提供する。【構成】 化合物半導体の基板の表面に形成された複数の発光領域と、その発光領域を除いた基板表面上に形成された層厚の薄い第1の絶縁層を設ける。第1の絶縁層上に形成されかつ発光領域とオーミック接触された電極を設ける。その電極の接続領域と発光領域の近傍を覆わない様に少なくとも接続領域の周辺部を含む電極上に形成された層厚の厚い第2の絶縁層を設ける。
請求項（抜粋）：
化合物半導体の基板と、その基板の表面に形成された複数の発光領域と、その発光領域を除いた前記基板の表面上に形成された層厚の薄い第1の絶縁層と、その第1の絶縁層上に形成されかつ前記発光領域とオーミック接触された電極と、その電極の接続領域と前記発光領域の近傍を覆わない様に少なくともその接続領域の周辺部を含む前記電極上に形成された層厚の厚い第2の絶縁層とを具備した事を特徴とする発光ダイオードアレイ。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
