特許
J-GLOBAL ID：200903032632716324
結晶配向薄膜製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-097293
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 イオンビームに劣らぬ優れた面内配向性を持った薄膜を基板片面ないしは両面に効率よく作製できる結晶配向薄膜装置を提供する。【構成】 スパッタリング装置において、基板を水平面に対し任意角θだけ傾けられる複数枚の基板ホルダー(2)を持つ基板電極(1)と、該基板電極(1)の下方にあって陰極性プラズマ空間を下方のターゲット(4)との間に形成しうる複数枚(n枚)の矩形電極からなる補助電極(3)とを、該ターゲット(4)と電気的に絶縁して組み込み、これらの基板電極(1)に印加されるバイアス電圧と補助電極(3)に印加されるバイアス電圧とによって陰極暗部と負グローとの境界であるプラズマ境界線(5)の断面が放物線形状の陰極性プラズマ空間を形成せしめ、基板表面に結晶配向成膜する結晶配向薄膜製造装置。
請求項（抜粋）：
スパッタリング装置において、基板を水平面に対し任意角θだけ傾けられる複数枚の基板ホルダーを持つ基板電極と、この該基板電極の下方で、ターゲットとの間に複数枚(n枚)の垂下電極板からなる補助電極とをターゲットと電気的に絶縁して組み込み、基板電極に印加するバイアス電圧と補助電極に印加するバイアス電圧とによって陰極性プラズマ空間を形成せしめ、基板表面に結晶配向成膜することを特徴とする結晶配向薄膜製造装置。
IPC (4件)：
C30B 23/08 ZAA
, C01G 1/00
, C23C 14/34
, C30B 29/16
