特許
J-GLOBAL ID:200903032638246796

半導体レーザデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 正康
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-147556
公開番号(公開出願番号):特開平10-256676
出願日: 1997年06月05日
公開日(公表日): 1998年09月25日
要約:
【要約】【課題】 ずれが少ない高精度な発振波長が得られる半導体レーザデバイスを提供するにある。【解決手段】 活性層と導波路を有し回折格子によりモード安定化された半導体レーザデバイスにおいて、所定の発振波長を発する発光エレメント部と、該発光エレメント部に近接して設けられ該発光エレメント部の発振波長より発振波長がずらされたあるいは発振が抑制された構造からなる制御エレメント部と、前記該発光エレメント部と制御エレメント部との合計の発熱量が常に所定温度に保たれる様に該制御エレメント部を駆動する駆動回路とを具備したことを特徴とする半導体レーザデバイスである。
請求項(抜粋):
活性層と導波路を有し回折格子によりモード安定化された半導体レーザデバイスにおいて、所定の発振波長を発する発光エレメント部と、該発光エレメント部に近接して設けられ該発光エレメント部の発振波長より発振波長がずらされたあるいは発振が抑制された構造からなる制御エレメント部と、前記該発光エレメント部と制御エレメント部との合計の発熱量が常に所定温度に保たれる様に該制御エレメント部を駆動する駆動回路とを具備したことを特徴とする半導体レーザデバイス。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01S 3/096
FI (2件):
H01S 3/18 ,  H01S 3/096
引用特許:
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る