半導体装置の製造方法およびその製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-209127
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022985
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】高アスペクト比のコンタクトホールに、有機金属材料を用いたCVD法によりTiN膜を形成する際に、Wの埋め込み不良が発生しない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板11上の絶縁膜13に形成されたコンタクトホール14内を被覆するTi膜15を堆積し、有機チタン材料を用いたCVD法によりTi膜上にTiN膜16を堆積する。TiN膜の表面をプラズマに暴露してTiN膜の改質を行った後、WF6とSiH4を用いたCVD法によりW膜113を堆積する。1回に堆積する窒化チタン膜の膜厚を、後の大気開放により取り込まれる水分を抑制できる厚さ以下とし、複数の工程サイクルにより所望の膜厚を得る。または、WF6をSiH4よりも先に供給し、あるいはWF6/SiH4の流量比率を1.2〜1.8として、Wの初期核を密に形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上の所定領域に二珪化コバルト層を形成する工程(a)と、前記シリコン基板上に絶縁膜を堆積する工程(b)と、前記絶縁膜に前記二珪化コバルト層に達するコンタクトホールを形成する工程(c)と、スパッタ法により前記コンタクトホール内を被覆するチタン膜を堆積する工程(d)と、化学的気相成長法により有機チタン材料を用いて前記チタン膜上にC(炭素)を含んだ窒化チタン膜を堆積する工程(e)と、前記窒化チタン膜の表面を水素および窒素のプラズマに暴露して、前記窒化チタン膜から少なくとも前記C(炭素)を除去する工程(f)と、工程(f)の後に、化学的気相成長法により六弗化タングステンとモノシランを用いて前記窒化チタン膜上にタングステン膜を堆積する工程(g)とを備え、工程(e)で1回に堆積する前記窒化チタン膜の膜厚を、その後大気に曝されることにより膜中に取り込まれる水分を抑制できる厚さ以下に設定し、工程(e)から工程(f)の工程サイクルを複数回行って、所望とする膜厚の前記窒化チタン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/90 C

Fターム (54件)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB14 , 4M104BB20 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD19 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF22 , 4M104HH15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP09 , 5F033PP11 , 5F033PP15 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033RR15 , 5F033WW02 , 5F033XX02 , 5F033XX09

前のページに戻る