半導体基板とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：諸田英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192853
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029911
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】2枚のウェーハを接着して成る誘電体分離半導体基板及びEG法によるゲッタリング層を有する半導体基板におけるそれぞれの問題点を改善し、プロセス誘起の転位、OSF等の結晶欠陥を抑制できる安定したゲッタリング能力を有し、基板の構造から生ずるデバイス特性への悪影響を緩和し、基板の反りを防止し、デバイスの製造歩留まりの向上と安定を図る。【構成】本発明の誘電体分離半導体基板は、台となる厚い第1半導体層と、第1半導体層の両主面上に形成される第1及び第2ゲッタリング層と、このゲッタリング層の外側両主面上に形成される第1及び第2絶縁層と、第1絶縁層の外側主面に接着される活性層の第2半導体層とから構成される。またEG法による前記基板は、 2枚のウェーハをゲッタリング層を間に挟み貼り合わせた基板で、板厚が所定厚さに、ゲッタリング層が基板の厚さ方向の中心部に位置するよう加工研磨された基板である。

請求項（抜粋）：

第1半導体単結晶層と、この第1半導体単結晶層の第1主面上及び第1主面と反対側の第2主面上のそれぞれに形成されるゲッタリング能力を有する第1ゲッタリング層及び第2ゲッタリング層と、第1ゲッタリング層の外側主面上に形成される第1絶縁層と、第2ゲッタリング層の外側主面上に形成される第2絶縁層或いは保護層で覆われた第2絶縁層と、第1絶縁層の外側主面上に形成される第2半導体単結晶層とを、具備することを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/322 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-299003 出願人：株式会社東芝
特開平1-215041
特開平1-302740

全件表示

前のページに戻る