特許
J-GLOBAL ID：200903032658331560
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250779
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090218
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【構成】SF6 +Cl2 のガス系にて、Cl2 の流量をトータル流量の5〜15%にすることにより、フォトレジスト膜2をマスクとして用いて、シリコン基板1をエッチングし溝3を形成した場合、サイドエッチングの少い異方性エッチングを行うことができる。【効果】フロン規制対象ガスを用いずに、従来と同等にシリコン基板及びポリシリコン層のエチングを行うことができる。
請求項（抜粋）：
エッチングガスとしてSF6 を用いるドライエッチング法によりシリコン層に溝を形成する半導体装置の製造方法において、エッチングガスに5〜15%のCl2 またはCl2 とCHF3を添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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