特許
J-GLOBAL ID:200903032660764547
ポジ型フオトレジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-075918
公開番号(公開出願番号):特開平7-281431
出願日: 1994年04月14日
公開日(公表日): 1995年10月27日
要約:
【要約】【目的】 特に半導体デバイスの製造において、高い解像力を有し、フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク寸法を正確に再現し、1μm以下の線幅のパターンにおいて高いアスペクト比を有し、且つ、側壁が垂直に近い断面形状のレジストパターンを生成することができ、広い現像ラチチユードを有し、更に、得られるレジスト像が耐熱性に優れるポジ型フオトレジスト組成物を提供する。【構成】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂と1,2-キノンジアジド化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、下記一般式[1]で表されるフェノール類の少なくとも1種と一般式[2]で表される化合物の少なくとも1種を含有する混合物と、アルデヒド類とを縮合させることにより得られるノボラック樹脂を含むポジ型フオトレジスト組成物。【化1】
請求項(抜粋):
アルカリ可溶性ノボラック樹脂と1,2-キノンジアジド化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、下記一般式[1]で表されるフェノール類の少なくとも1種と一般式[2]で表される化合物の少なくとも1種を含有する混合物と、アルデヒド類とを縮合させることにより得られるノボラック樹脂を含むことを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】ここで、R1〜R3:同一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基もしくはアリールカルボニル基、R4〜R5:同一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基もしくはアラルキル基、を表す。
IPC (3件):
G03F 7/023 511
, G03F 7/022
, H01L 21/027
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