特許

J-GLOBAL ID：200903032662117484

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 松本 順子 ,  坂森 重則 ,  寺谷 昭美 ,  楠見 嘉宏 ,  深尾 哲宏 ,  大見 和幸 ,  田原 賢治 ,  山中 信明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-125481
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330046
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 セルフアライメント法により、エッチングストッパー膜を損傷せず、電気特性を劣化させることないコンタクトホールを形成する。【解決手段】 希ガスにCF系ガスを混合した処理ガスを用いたプラズマエッチングにより、レジストマスクの開口から層間酸化膜をエッチングし、シリコン窒化膜の肩部にテーパー部を形成する。また、希ガスとC4F8ガスとの混合ガスにCH2F2ガスを添加したプラズマエッチングにより、レジストマスクの開口からシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを連続してエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたシリコン窒化膜の段差部と、この段差部の上に形成されたシリコン酸化膜とを備えたものにおいて、上記シリコン酸化膜の上に上記段差部に向かう開口を有するレジスト層を形成し、希ガスにCF系ガスを混合した処理ガスを用いたプラズマエッチングにより、上記レジストマスクの開口から上記シリコン酸化膜をエッチングし、上記シリコン窒化膜の肩部にテーパー部を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C09K 13/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/302 M ,  C09K 13/08 ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 C