特許

J-GLOBAL ID：200903032664486533

プラズマCVD方法

発明者： 林 専一 ,  鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-195197
公開番号（公開出願番号）：特開平9-041147
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【課題】 膜質が向上し、高性能で高速な成膜が可能なプラズマCVD方法を提供する。【解決手段】 排気手段によりプラズマ発生室内及び該プラズマ発生室と連通した成膜室内を減圧させ、希ガスと希ガス以外のガスを該プラズマで発生室又は成膜室に供給し、該プラズマ発生室内に電気エネルギーを供給し、該プラズマ発生室に連通した成膜室内に配された基体表面に薄膜を堆積させるプラズマCVD法であって、該希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガスの流量を5倍以上にすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

排気手段によりプラズマ発生室内及び該プラズマ発生室と連通した成膜室内を減圧させ、希ガスと希ガス以外のガスを該プラズマ発生室又は成膜室に供給し、該プラズマ発生室内に電気エネルギーを供給し、該プラズマ発生室に連通した成膜室内に配された基体表面に薄膜を堆積させるプラズマCVD方法であって、該希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガスの流量を5倍以上にすることを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (8件)：

C23C 16/50 ,  C08L101/00 LSY ,  G11B 11/10 541 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46

FI (8件)：

C23C 16/50 ,  C08L101/00 LSY ,  G11B 11/10 541 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H05H 1/46 B