特許
J-GLOBAL ID:200903032670100876
半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-121408
公開番号(公開出願番号):特開2000-311870
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年11月07日
要約:
【要約】【課題】 レジスト側壁に生じるテーパの幅を抑制し、正確なリソグラフィが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上1に、所定パターンの開口部を有し、この開口部側壁にテーパ部が形成されたレジストマスク3bを形成する工程と、酸と反応すると非水溶性になる水溶性のレジスト膜9をレジストマスク3b上に形成する工程と、レジスト膜9と酸とを反応させてテーパ部上に非水溶性の部位9aを形成する工程と、非水溶性の部位9aを残して水溶性のレジスト膜9bを除去することで、上記テーパ部上に形成された非水溶性の部位9a及びレジストマスク3bからなるレジストマスクを形成する工程と、このレジストマスク上より不純物を注入して半導体基板1内に不純物領域を形成する工程とを含んでいる。
請求項(抜粋):
半導体基板上に、所定パターンの開口部を有し、この開口部側壁にテーパ部が形成されてなる第1のレジストマスクを形成する工程と、酸と反応すると非水溶性になる水溶性のレジスト膜を少なくとも上記テーパ部が覆われるように上記第1のレジストマスク上に形成する工程と、上記レジスト膜と酸とを反応させて上記テーパ部上に非水溶性の部位を形成する工程と、上記非水溶性の部位を残して上記水溶性のレジスト膜を除去することで、上記テーパ部上に形成された非水溶性の部位及び上記第1のレジストマスクからなる第2のレジストマスクを形成する工程と、上記第2のレジストマスク上より不純物を注入して上記半導体基板内に不純物領域を形成する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (11件):
H01L 21/28
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/20 521
, H01L 21/265
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
, H01L 21/3213
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/08 331
FI (12件):
H01L 21/28 K
, H01L 21/28 D
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/20 521
, H01L 27/08 331 D
, H01L 21/265 H
, H01L 21/30 570
, H01L 21/30 574
, H01L 21/302 J
, H01L 21/88 C
, H01L 27/08 321 B
Fターム (68件):
2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AD01
, 2H025BE00
, 2H025CB07
, 2H025CB10
, 2H025CB13
, 2H025CB21
, 2H025CB42
, 2H025CB45
, 2H025CB47
, 2H025CB53
, 2H025CC17
, 2H025DA20
, 2H025FA39
, 4M104AA01
, 4M104BB40
, 4M104DD09
, 4M104DD20
, 4M104DD35
, 4M104DD62
, 4M104DD64
, 4M104DD71
, 4M104DD73
, 4M104EE12
, 4M104EE15
, 4M104EE18
, 4M104GG10
, 4M104HH14
, 5F004EA02
, 5F004FA01
, 5F004FA02
, 5F033HH01
, 5F033HH04
, 5F033HH07
, 5F033LL01
, 5F033LL04
, 5F033PP14
, 5F033PP20
, 5F033QQ01
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ29
, 5F033QQ58
, 5F033QQ65
, 5F033QQ74
, 5F033RR04
, 5F033RR25
, 5F033RR27
, 5F033SS22
, 5F033TT03
, 5F033TT04
, 5F033TT07
, 5F033WW00
, 5F033WW02
, 5F033XX03
, 5F033XX34
, 5F046AA28
, 5F046PA03
, 5F046PA18
, 5F046PA19
, 5F048AA01
, 5F048AA03
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BE03
, 5F048BE05
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