特許

J-GLOBAL ID：200903032670933614

HEMTのDC-高周波電熱特性の半物理的モデリング

発明者： ツァイ,ロジャー・エス
出願人/特許権者： ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-581205
公開番号（公開出願番号）：特表2003-532308
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2003年10月28日
要約：

【要約】半物理的デバイス・モデル(図45)を、分析熱抵抗モデルと組み合わせて利用し、半導体デバイスのチャネル温度及び内部電荷/電界構造を自己一致的に解明する、半導体のモデリング方法である。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスのモデリング方法であって、(a)半物理的モデルを用いて前記半導体デバイスをモデル化するステップと、(b)分析的熱モデルを用いて前記半導体デバイスをモデル化するステップと、(c)前記半物理的モデル及び前記分析的熱モデルを結合するステップと、から成ることを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  G06F 17/50 666 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

G06F 17/50 666 S ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 Z

Fターム (13件)：

5B046AA08 ,  5B046JA07 ,  5F102FA00 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GS09 ,  5F102GT03