特許

J-GLOBAL ID：200903032671853061

半導体熱処理装置

発明者： 小池 秀穂
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001075
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204231
出願日： 1993年01月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】半導体デバイスの製造での縦型熱処理装置(縦型拡散炉)を用いたウェット酸化処理において、塩酸等の腐食性の処理薬液と水蒸気を用いて処理しても液化液溜まりの発生がなく、更に気密保持のためのOリングの耐熱性能を満足させ、清浄なウェット酸化膜を生成することが可能な熱処理装置を提供する。【構成】ウェーハーを出し入れする炉口部を有する加熱部とウェーハーを保持する治具とこの治具を固定し炉口を封止する封止フランジを有する半導体熱処理装置において、前記、封止フランジの温度を制御することができる加熱部とこの封止フランジ冷却水の水温を制御することができる加熱部を備え同時に制御する手段を有する。【効果】縦型熱処理装置で従来ドライ酸化処理しかできなかったがウェット酸化処理が可能となり、清浄なウェット酸化膜を生成することが可能となった。

請求項（抜粋）：

ウェーハーを出し入れする炉口部を有する加熱部とウェーハーを保持する治具とこの治具を固定し炉口を封止する封止フランジを有する半導体熱処理装置において、前記、封止フランジの温度を制御できる加熱部とこのフランジの冷却水の水温を制御することができる加熱部を備えたことを特徴とする半導体熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/22