研磨装置およびこれを用いた研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017207
公開番号（公開出願番号）：特開平7-223160
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【構成】基板保持台26にヒータ28a,28bを内蔵させ、この基板載置面の中心部が40°C、外周部が70°Cとなるよう温度制御する。そして、ガラス転移点60°Cの樹脂Aとガラス転移点50°Cの樹脂Bとの混合物よりなる高分子粒子にシリカを付着させた複合粒子をKOH水溶液中に分散させてなる研磨剤22を、研磨布29と基板25との摺接面に供給する。上記摺接面において、上記高分子粒子は中心部から外周部へ向けて硬度が低くなる硬度分布を示すため、研磨微粒子による研磨力も中心部から外周部へ向けて低くなる。【効果】基板25の被研磨面が中心部から外周部に亘って均一な研磨レートにて研磨できる。このため、半導体プロセスにおける平坦化に適用すると、多層配線化を進め、高集積化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

研磨布を張着した回転定盤と、前記研磨布上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、基板を密着保持可能な基板載置面を有する基板保持台とを備え、前記研磨布と前記基板載置面上に保持された基板の被研磨面とを摺接させながら該基板の平坦化を行う研磨装置において、前記基板保持台が、前記基板載置面の半径方向に沿って所定の温度分布を発生させる温度制御手段を内蔵してなることを特徴とする研磨装置。

IPC (4件)：

B24B 37/04 , B24B 1/00 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-063428
特開平3-190665
特開平4-069159

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