特許
J-GLOBAL ID:200903032672742190

静電気保護回路を備えた半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 荒船 博司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-161566
公開番号(公開出願番号):特開平10-056133
出願日: 1997年06月18日
公開日(公表日): 1998年02月24日
要約:
【要約】【課題】占める面積を最少化することができる静電気保護回路を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の静電気保護回路を備えた半導体装置は半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、端部に突出部を有するアクティブ領域と、前記アクティブ領域の突出部上に配設されたコンタクト領域と、前記アクティブ領域上に前記突出部と一定間隔を置き同一方向に配設されたゲートを含んで構成する。
請求項(抜粋):
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、端部に一定間隔を置いて形成された複数の突出部を有するアクティブ領域と、前記アクティブ領域の前記突出部上に配設されたコンタクト領域と、前記アクティブ領域上に前記突出部と一定間隔を置いて同一方向に配設された、トランジスタのゲートとを含んでなることを特徴とする静電気保護回路を備えた半導体装置。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-255738   出願人:日本電気株式会社
  • 入出力保護回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-128068   出願人:ソニー株式会社

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