特許

J-GLOBAL ID：200903032675756427

酸化物バルク超電導体およびその製造方法

発明者： 森田 充
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 萩原 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354469
公開番号（公開出願番号）：特開平5-170598
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：

【要約】【目的】 高い臨界電導密度を有する大型の酸化物超電導単結晶バルク体の製造。【構成】 単結晶体が相異なる成分・組成の希土類元素(RE)毎に内側から外側に層状に構成され、かつ各層がそれぞれのREに対応した超電導相の生成温度の順が内側から外側へ低くなるように構成された成形体を半溶融状態に加熱したのち、種結晶を用いて結晶方位を制御しながら超電導相の結晶を成長させる。【効果】 上記の成形体内の構成により種結晶から安定に結晶が成長し、大型の単結晶バルク体が得られる。

請求項（抜粋）：

RE(Yを含む希土類元素およびそれらの組み合わせ)、BaおよびCuの複合酸化物である酸化物超電導体の単結晶体であつて、単結晶状のREBa2 Cu3 O7-x (123)相中にRE2 BaCuO5 (211)相が微細に分散した組織を有し、該単結晶体が相異なる成分・組成のRE毎に立体的に内側から外側に層状に構成され、かつ前記各層がそれぞれのREに対応した123相生成温度(Tf)の順に内側から外側に低くなるように構成されていることを特徴とする酸化物バルク超電導体。

IPC (6件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA