特許

J-GLOBAL ID：200903032676204614

ウェット還元法による極微細ニッケル粉末の製造方法

発明者： 尹 善 美 ,  崔 在 榮 ,  李 容 均 ,  ユリア ポターポヴァ
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-242767
公開番号（公開出願番号）：特開2006-063449
出願日： 2005年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】 ウェット還元法による極微細ニッケル粉末の製造方法を提供する。【解決手段】 水と塩基とを混合して製造された第1溶液を準備する工程10、ポリオールとニッケル化合物とを混合して製造された第2溶液を準備する工程11、第1溶液と第2溶液とを混合して混合物を製造する工程12、混合物を加熱する工程16、及び加熱工程で生成されたニッケル粉末を分離する工程17を含むニッケル粉末の製造方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

水と塩基とを混合して製造された第1溶液を準備する工程と、 ポリオールとニッケル化合物とを混合して製造された第2溶液を準備する工程と、 前記第1溶液と前記第2溶液とを混合して混合物を製造する工程と、 前記混合物を加熱する工程と、 前記加熱工程で生成されたニッケル粉末を分離する工程と、を含むことを特徴とするニッケル粉末の製造方法。

IPC (2件)：

B22F 9/24 ,  H01G 4/12

FI (3件)：

B22F9/24 C ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/12 361

Fターム (12件)：

4K017AA03 ,  4K017BA03 ,  4K017CA07 ,  4K017DA01 ,  4K017DA08 ,  4K017EJ01 ,  4K017FB03 ,  4K017FB07 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AH01 ,  5E001AJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第4,539,041号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 金属粉末の製造方法、金属粉末、導電性ペースト、積層セラミック電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-206061   出願人：株式会社村田製作所