特許

J-GLOBAL ID：200903032680950827

半導体装置

発明者： 平田 守央
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-191651
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007833
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】簡便な静電保護装置の構造で半導体装置をESDから保護する。【解決手段】半導体装置の入出力端子と内部回路との間に設けられた静電保護装置において、入出力端子1に接続する入出力配線2と一定電位の接地配線(Vss)との間に浮遊ゲート型トランジスタ4が接続されており、この浮遊ゲート型トランジスタ4の制御ゲート5は入出力配線2に接続され、浮遊ゲート型トランジスタ4の浮遊ゲート6は浮遊ゲート抵抗7を介して接地配線(Vss)に接続されている。また、バックゲート8もバックゲート抵抗9を通して接地配線(Vss)に接続されている。

請求項（抜粋）：

半導体装置の入出力端子と内部回路との間に設けられた静電保護装置において、前記入出力端子に接続する入出力配線と一定電位の電極配線との間に浮遊ゲート型トランジスタが接続されており、前記浮遊ゲート型トランジスタの制御ゲートは前記入出力配線に接続され、前記浮遊ゲート型トランジスタの浮遊ゲートは抵抗を介して前記電極配線に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (65件)：

5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB20 ,  5F048BC06 ,  5F048CC01 ,  5F048CC02 ,  5F048CC05 ,  5F048CC08 ,  5F048CC09 ,  5F048CC10 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC18 ,  5F048CC19 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083ER22 ,  5F083GA14 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083NA01 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BE17 ,  5F101BH21 ,  5F140AA31 ,  5F140AA38 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140AB10 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF42 ,  5F140BF53 ,  5F140BG31 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140DA01 ,  5F140DA08