特許

J-GLOBAL ID：200903032681367408

薄膜半導体集積回路の作製方法

発明者： 山本 睦男 ,  張 宏勇 ,  小山 潤 ,  寺本 聡 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145378
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335897
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 信頼性の高いアルミニウムを主成分とする材料によってゲイト電極・配線の形成された薄膜トランジスタおよび薄膜半導体集積回路を作製することを目的とする。【構成】 アルミニウムゲイトの薄膜トランジスタの作製方法に関し、島状の半導体薄膜に選択的に不純物領域を形成し、ついで、それを覆ってゲイト絶縁膜を形成する。さらに、前記不純物領域とそれに隣接するチャネル形成領域、およびゲイト絶縁膜を熱アニールもしくは光アニール処理をおこなうことによって、これらの領域自体の特性の向上とこれらの領域の境界の不連続性を無くす。以上の工程ののち、ゲイト電極を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に島状の半導体領域を形成する第1の工程と、該半導体領域に、選択的に不純物を導入して不純物領域を形成する第2の工程と、該半導体領域を覆って、絶縁膜を形成する第3の工程と、該半導体領域および絶縁膜をアニール処理する第4の工程と、該絶縁膜上にゲイト電極・配線を形成する第5の工程とを有することを特徴とする薄膜半導体集積回路の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/40

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 A