マイクロ波プラズマCVD装置及びダイヤモンド薄膜を形成する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：太田明男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303844
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122690
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】基体支持台上に載置される基体が大円形の場合でもあっても、基体の表面に適正厚みの皮膜を均一かつ確実に形成することができるマイクロ波プラズマCVD装置を提供する。【解決手段】円形の真空容器10と、真空容器10内に配設されると共に基体11を支持する円形の基体支持台12と、基体支持台12の上方で円周方向に一定の角度間隔を開けて配置されると共にプラズマ発生手段の要部を形成する複数の電極14と、真空容器10の少なくとも円周方向に沿って一定角度間隔を開けて配置され、その先部に設けた誘電体窓13が対応する複数の電極14にそれぞれ連結される複数のマイクロ波導波管20と、真空容器10に原料ガスを供給するガス供給手段15と、真空容器10内のガスを排気する真空排気手段16とを具備する。

請求項（抜粋）：

円形の真空容器と、前記真空容器内に配設されると共に基体を支持する円形の基体支持台と、前記基体支持台の上方で円周方向に一定の角度間隔を開けて配置されると共にプラズマ発生手段の要部を形成する複数の電極と、前記真空容器の少なくとも円周に沿って一定の角度間隔を開けて配置され、その先部に設けた誘電体窓が対応する前記複数の電極にそれぞれ連結される複数の伸縮自在のマイクロ波導波管と、前記真空容器に原料ガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内のガスを排気する真空排気手段とを具備するマイクロ波プラズマCVD装置。

IPC (2件)：

C30B 25/02 , C30B 29/04

FI (2件)：

C30B 25/02 P , C30B 29/04 D

Fターム (10件)：

4G077AA03 , 4G077AB03 , 4G077BA03 , 4G077DB07 , 4G077DB19 , 4G077ED06 , 4G077EG25 , 4G077EG29 , 4G077TA04 , 4G077TA11

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-024094
特開昭64-061396
特開平3-094422

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