特許
J-GLOBAL ID:200903032690156150

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-079820
公開番号(公開出願番号):特開平6-291247
出願日: 1993年04月06日
公開日(公表日): 1994年10月18日
要約:
【要約】【目的】本発明は、複数の半導体チップの電源/グランド導体が共有化されているマルチチップモジュールにおいて、チップ間を伝搬するノイズを低減し、ノイズ・マージンの劣化を防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、複数の半導体チップ18が共通に接続される、多層基板内のグランド層12および電源層14のそれぞれを、高抵抗導体12a,14aと低抵抗導体12b,14bとの、導電率の異なる2種類の導体により構成する。そして、その高抵抗導体12a,14aを、それぞれの層12,14の半導体チップ18間に配置することにより、誘導電流を遮断することなく、ノイズの直接的な伝搬を防止する構成となっている。
請求項(抜粋):
複数の半導体素子と、これら複数の半導体素子が共通に接続されるとともに、各素子間において高抵抗部を有してなる電源系導体とを具備したことを特徴とする半導体装置。

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