特許
J-GLOBAL ID：200903032691505647
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098052
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 エミッタ抵抗の低いInGaP/GaAsHBTを提供する。【解決手段】 InGaPからなるエミッタ層5と、In<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>As(0<y1≦1.0)からなるエミッタコンタクト層9と、該エミッタ層に隣接するように設けられ該エミッタ層に接する一端から他端に向かって実質的にバンドキャップが狭くなるように組成が変化するInGaP組成傾斜層6とを備える。
請求項（抜粋）：
InGaPからなるエミッタ層と、In<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>As(0<y1≦1.0)からなるエミッタコンタクト層と、該エミッタ層に隣接するように設けられ該エミッタ層に接する一端から他端に向かって実質的にバンドキャップが狭くなるように組成が変化するInGaP組成傾斜層とを備えたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
