特許

J-GLOBAL ID：200903032694299614

真空浸炭処理方法

発明者： 和歌 正臣 ,  門野 徹 ,  原井 哲 ,  岡田 徹也 ,  今井 直明
出願人/特許権者： 株式会社不二越
代理人 (1件)： 河内 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048636
公開番号（公開出願番号）：特開平11-315363
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 真空浸炭処理方法において、炉内に装荷されたワーク全体の表面に均一に浸炭層を形成し、真空浸炭に必要な排気ポンプの容量を小さくし、設備コストを低減し、かつ炉内の煤の発生を抑え、設備のメンテナンス性を改善し、さらには原料ガスのコストを低減する。【解決手段】 真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ1〜10kPaの圧力下で浸炭処理を行う。

請求項（抜粋）：

真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ1〜10kPaの圧力下で浸炭処理を行うことを特徴とする真空浸炭方法。