特許
J-GLOBAL ID：200903032698762920
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331187
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275665
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体層の表裏両面から加工を施した新規な構造の半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【構成】 絶縁性表面4を有する基板1’上に設けられた半導体層1を有する半導体装置において、前記半導体層1の一方の主面側から加工を行って形成した第1の領域11と、前記半導体層1の他方の主面側から加工を行って形成した第2の領域15と、を有し、前記第1及び第2の領域が協働的に半導体機能素子を構成していることを特徴とする半導体装置及びその製造方法である。また、前記加工は不純物の拡散工程、堆積工程、エッチング工程、等であり、また、前記機能素子はトランジスタ等である。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する基板上に設けられた半導体層を有する半導体装置において、前記半導体層の一方の主面側から加工を行って形成した第1の領域と、前記半導体層の他方の主面側から加工を行って形成した第2の領域と、を有し、前記第1及び第2の領域が協働的に半導体機能素子を構成していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/68
, H01L 21/76
