特許
J-GLOBAL ID：200903032702917276
歪量子井戸半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329517
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145178
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 作製が容易で高温特性に優れた歪量子井戸半導体レーザ素子を提供する。【構成】 量子井戸層と障壁層とが交互に積層されて成る量子井戸活性層5が、半導体基板2上に設けられた歪量子井戸半導体レーザ素子1において、量子井戸層が引っ張り歪み構造で形成され、且つ障壁層が圧縮歪み構造で形成さていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
量子井戸層と障壁層とが交互に積層されて成る量子井戸活性層が、半導体基板上に設けられた歪量子井戸半導体レーザ素子において、前記量子井戸層が引っ張り歪み構造で形成され、且つ前記障壁層が圧縮歪み構造で形成されていることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ素子。
引用特許：
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