特許
J-GLOBAL ID：200903032705492802
磁気抵抗効果ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134978
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060332
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 バルクハウゼンノイズの無い、高性能の磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【構成】 強磁性磁気抵抗効果層2と、その層にセンス電流を印加するための電極6と、強磁性磁気抵抗効果層2との間に交換力によってセンス電流と平行方向にバイアス磁界を生じさせるために強磁性磁気抵抗効果層2と直接的に接して設けた反強磁性層5と、強磁性磁気抵抗効果層2にセンス電流と直交方向にバイアス磁界を生じさせるための手段とを有し、電極に挟まれた強磁性磁気抵抗効果層2の中央部分で磁気記録媒体から生じる信号磁界を検知する構造の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、反強磁性層5の磁界検知部分側の端部が電極の端部よりも後退している構造を用いる。また、この時の後退量を1.5μm以上3.0μm以下とすることにより、特に優れた効果が得られる。このような構造の磁気抵抗効果ヘッドでは、再生感度の低下が起こらず、バルクハウゼンノイズの少ない、優れた再生特性が得られる。
請求項（抜粋）：
強磁性磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気抵抗効果層にセンス電流を印加するための電極と、前記強磁性磁気抵抗効果層との間に交換力によってセンス電流と平行方向にバイアス磁界を生じさせるために前記強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接して設けた反強磁性層と、前記強磁性磁気抵抗効果層にセンス電流と直交方向にバイアス磁界を生じさせるための手段とを有し、前記電極に狭まれた強磁性磁気抵抗効果層の中央部分で磁気記録媒体から生じる信号磁界を検知する構造の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記反強磁性層の磁界検知部分側の端が前記電極の端よりも後退していることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
引用特許：
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